634,97 zł
634,97 zł
-50%
Zbieraj punkty w Klubie Mola Książkowego i kupuj ebooki, audiobooki oraz książki papierowe do 50% taniej.
Dowiedz się więcej.
Dowiedz się więcej.
- Wydawca: Springer Wien
- Kategoria: Literatura popularnonaukowa
- Język: angielski
- Rok wydania: 2011
Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.
Ebooka przeczytasz w dowolnej aplikacji obsługującej format:
0,0
Oceny przyznawane są przez użytkowników Legimi, systemów bibliotecznych i innych serwisów partnerskich. Przyznawanie ocen premiowane jest punktami Klubu Mola Książkowego.
Legimi nie weryfikuje, czy opinie pochodzą od konsumentów, którzy nabyli lub czytali/słuchali daną pozycję, ale usuwa fałszywe opinie, jeśli je wykryje.
